磷化铟单晶是周期系第Ⅲ、V族化合物半导体。化学分子式为InP。共价键结合，有一定的离子键成分。属闪锌矿型结构，为复式晶格，晶格常数是0.58688nm。磷化铟单晶的制备操作步骤包括如下两道：
(1)合成磷化铟多晶。合成操作是让高纯的磷蒸气与熔融高纯铟直接发生作用，多采用水平定向结晶法和区域熔炼法。
(2)制备掺杂磷化铟单晶。一般采用高压溶液提拉法，是将盛有磷化铟多晶的石英坩埚置于高压设备内进行，用电阻丝或高频加热，惰性气体保护(压力3×106Pa)下让晶体生长。为了提高InP单晶质量，降低位错密度，可通过掺杂(如Sn、S、Zn、Fe、Ga、Sb等)以减少位错。掺杂是往多晶中放人中间掺人物，使之在熔融和结晶过程中得予扩散实现。
InP Wafers Specification
| Type 导电类型 | Semi-Insulated | N-Type | P-Type | NP Type |
| Dopant 掺杂元素 | Fe | S, Sn | Zn | Undoped |
| Growth Method 长晶方式 | VGF | |||
| Diameter 直径 | 2", 3", 4", 6" | |||
| Orientation 晶向 | (100)±0.5° | |||
| Thickness 厚度 (µm) | 350-675um ±25um | |||
| OF/IF 参考边 | US EJ | |||
| Carrier Concentration 载流子浓度 | - | (0.8-8)*1018 | (0.8-8)*1018 | (1-10)*1015 |
| Resistivity 电阻率 (ohm-cm) | >0.5*107 | - | - | - |
| Mobility 电子迁移率 (cm2/V.S.) | >1000 | 1000-2500 | 50-100 | 3000-5000 |
| Etch Pitch Density 位错密度(/cm2) | <5000 | <5000 | <500 | <500 |
| TTV 平整度 [P/P] (µm) | <10 | |||
| TTV 平整度 [P/E] (µm) | <15 | |||
| Warp 翘曲度 (µm) | <15 | |||
| Surface Finished 表面加工 | P/P, P/E, E/E | |||
磷化铟(InP)
磷化铟(InP)是重要的III-V族化合物半导体材料之一，是继Si、GaAs之后的新一代电子功能材料。
由于InP在熔点温度1335±7K时，磷的离解压为27.5atm， 因此InP多晶的合成相对比较困难，单晶生长也困难得多，整个 过程始终要在高温高压下进行，所以InP单晶就难获得，而且在高温高压下生长单晶，其所受到的热应力也大，所以晶片加工就很难，再加上InP的堆垛层错能较低，容易产生孪晶，致使高 质量的InP单晶的制备更加困难。
所以目前相同面积的InP抛光 片要比GaAs的贵3~5倍。而对InP材料的研究还远不如Si、GaAs 等材料来得深入和广泛。
高电场下，电子峰值漂移速度高于GaAs中的电子，是制备超高速、超高频器件的良好材料;
InP作为转移电子效应器件材料，某些性能优于GaAs
InP的直接跃迁带隙为1.35 eV，正好对应于光纤通信中 传输损耗最小的波段;
InP的热导率比GaAs好，散热效能好
InP是重要的衬底材料:制备半绝缘体单晶
与GaAs材料相比，在器件制作中，InP材料具有下列优势:
1InP器件的电流峰-谷比高于GaAs，因此，InP器件比GaAs 器件有更高的转换效率;
2惯性能量时间常数小，只及GaAs的一半，故其工作频率的 极限比GaAs器件高出一倍;
3热导率比GaAs高，更有利于制作连续波器件; 4基于InP材料的InP器件有更好的噪声特性;
InP作为衬底材料主要有以下应用途径:
光电器件,包括光源(LED、LD)和探测器(PD、 APD 雪崩光电探测器)等, 主要用于光纤通信系统。
集成激光器、光探测器和放大器等的光电集成电路(OEIC)是新一代 40Gb/s通信系统必不可少的部件，可以有效提升器件可靠性和减小器件 的尺寸。
InP的禁带宽度为1.34eV，InP高转换效率的太阳能电池，具有高抗辐射 性能被用于空间卫星的太阳能电池，对未来航空技术的开发利用起着重 要的推动作用。
电子器件包括高速高频微波器件(金属绝缘场效应晶体管 MISFET 、HEMT高电子迁移率晶体管 和HBT异质结晶 体管 )
InP基器件在毫米波通讯、防撞系统、图象传感器等新的 领域也有广泛应用。
目前，InP微波器件和电路的应用还都主要集中在军事领 域，随着各种技术的进步，InP微电子器件必将过渡到军 民两用，因此InP将有着不可估量的发展前景。
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